99,5% 99,9% 99,95% Chromowany cel rozpylający 3x3mm 6x6mm do odparowywania materiału

Cylinder chromowy do odparowywania 99,5%, 99,9%, 99,95%

Zasada powlekania przez odparowanie:

fizyczny proces powlekania przez odparowanie od transportu parowania materiału do osadzania jest następujący:

1. Zamień wszystkie rodzaje energii w energię cieplną, podgrzej materiał poszycia do odparowania lub wysublimowania i stań się cząstkami gazu (atomami, cząsteczkami lub grupami atomowymi) o pewnej energii (0,1-0,3 EV);

2. Opuszczając powierzchnię materiału poszycia, cząstki gazowe ze znaczną prędkością są transportowane na powierzchnię podłoża w zasadniczo bezkolizyjnym locie liniowym;

3. Folie w fazie stałej powstają w wyniku kondensacji cząstek gazowych na powierzchni podłoża;

4. Atomy tworzące film są uporządkowane lub związane chemicznie.

Istnieje wiele rodzajów powłok do odparowywania. Obecnie setki z nich są głównie używane na rynku. Proces produkcyjny obejmuje głównie: kruszenie kryształów, kruszenie w stanie stopionym, ciągnienie drutu, cięcie drutu, granulowanie, proszkowanie, prasowanie tabletek, odlewanie, formowanie itp. Kształt produktu obejmuje głównie: walcówkę, proszek, nieregularne cząsteczki, mały cylinder, małą kulkę , stożek

Główne produkty to:

  w następujący sposób: (cząstki, bloki i proszki można dostosować) cząstki aluminium 99,99% 3 * 3 mm; 99,999% 3 * 3 mm cząsteczki miedzi 99,99% 3 * 3 mm; 99,999% 3 * 3 mm cząsteczki żelaza 99,9% 2 * 3 mm cząstki tytanu 99,999% 6 * 6 mm cząsteczki wanadu 99,9% 3 * 3 mm cząsteczki niklu 99,999% 6 * 6 mm cząsteczki chromu 99,95% 3-5 mm cząsteczki kobaltu 99,95% 2-8 mm cząsteczki manganu 99,8 % 1-10 mm cząsteczki baru 99,6% 2-6 cm (jako odtleniacz) Cząstki wapnia 99,5% 1-3 mm (stosowane jako odtleniacz) cząsteczki wolframu 99,95% 6 * 6 mm cząsteczki niobu 99,95% 6 * 6 mm cząsteczki molibdenu 99,95% 6 * 6 mm tantal cząstki 99,95% 6 * 6 mm cząsteczki cyrkonu 99,5% 1,6 * 5 mm; 99,95% 2,4 * 5 mm pręciki hafnu krystalicznego 99,9% cząsteczki hafnu d21 mm 99,9%.

Al aluminium o wysokiej czystości, miedź Cu o wysokiej czystości, tytan Ti o wysokiej czystości, krzem Si o wysokiej czystości, złoto Au o wysokiej czystości, srebro AG o wysokiej czystości, ind ind w wysokiej czystości, mg magnezu o wysokiej czystości, cynk Zn o wysokiej czystości, platyna o wysokiej czystości Pl, german o wysokiej czystości, nikiel o wysokiej czystości Ni, tantal o wysokiej czystości TA, stop złota germanu Auge, stop złota niklu auni, stop niklu i chromu NiCr, stop tytanu aluminium TiAl, stop miedzi i indu galu cuinga, stop miedzi selu i galu CuInGaSe, cynk aluminium stop ZnAl, stop aluminium z krzemem AlSi i inne metalowe materiały powłokowe.

Teoria zarodkowania i wzrostu materiałów cienkowarstwowych

1. Proces samoistnego zarodkowania zarodkowania jest napędzany energią swobodną przemiany fazowej.

2. Zarodkowanie nie samorzutne - oprócz siły napędowej darmowej energii przemiany fazowej istnieją inne czynniki, które pomagają w tworzeniu nowych rdzeni fazowych.

3. Model wzrostu filmu w pasmach krystalicznych

Istnieją trzy procesy osadzania atomów: osadzanie lub adsorpcja atomów pary, dyfuzja powierzchniowa i dyfuzja masowa.

Tworzenie struktury filmu jest ściśle związane z temperaturą podłoża TS / TM i energią osadzonych atomów. TS jest temperaturą podłoża, a TM jest temperaturą topnienia osadzonego materiału.