99,5% 99,9% 99,95% Chromowany cel rozpylający 3x3mm 6x6mm do odparowywania materiału

Butla chromu do odparowania 99,5%, 99,9%, 99,95%

Zasada powłoki parowania:

fizyczny proces naparowywania powłoki od transportu odparowania materiału do osadzania jest następujący:

1. Przekształć wszystkie rodzaje energii w energię cieplną, podgrzej materiał poszycia, aby wyparować lub wysublimować i stać się cząsteczkami gazu (atomami, cząsteczkami lub grupami atomowymi) o określonej energii (0,1-0,3 ev);

2. Opuszczając powierzchnię materiału poszycia, cząstki gazowe ze znaczną prędkością są transportowane na powierzchnię podłoża w zasadniczo bezkolizyjnym locie liniowym;

3. Folie fazy stałej są tworzone przez kondensację cząstek gazowych na powierzchni podłoża;

4. Atomy tworzące film są przegrupowane lub związane chemicznie.

Istnieje wiele rodzajów materiałów do powlekania przez odparowanie.Obecnie na rynku są ich setki.Proces produkcyjny obejmuje głównie: kruszenie kryształów, kruszenie topienia, ciągnienie drutu, cięcie drutu, granulację, proszkowanie, prasowanie tabletek, odlewanie, formowanie itp. Kształt produktu obejmuje głównie: walcówkę, proszek, nieregularne cząstki, mały cylinder, małą kulkę , stożek

Główne produkty to:

 w następujący sposób: (można dostosować cząstki, bloki i proszki) cząstki aluminium 99,99% 3 * 3mm;99,999% 3*3mm cząstki miedzi 99,99% 3*3mm;99,999% Cząsteczki żelaza 3*3mm 99,9% Cząsteczki tytanu 2*3mm 99,999% Cząsteczki wanadu 6*6mm 99,9% Cząsteczki niklu 3*3mm 99,999% Cząstki chromu 6*6 mm 99,95% Cząsteczki kobaltu 3-5mm 99,95% Cząsteczki manganu 2-8mm 99,8 % Cząsteczki baru 1-10 mm 99,6% 2-6 cm (jako odtleniacz) Cząsteczki wapnia 99,5% 1-3 mm (używane jako odtleniacz) Cząstki wolframu 99,95% Cząstki niobu 6 * 6 mm 99,95% Cząstki molibdenu 6 * 6 mm 99,95% Cząstki tantalu 6 * 6 mm cząstki 99,95% 6 * 6 mm cząstki cyrkonu 99,5% 1,6 * 5 mm;99,95% 2,4 * 5 mm kryształowe pręty hafnu 99,9% cząstek hafnu d21 mm 99,9%.

Aluminium o wysokiej czystości Al, miedź o wysokiej czystości Cu, tytan o wysokiej czystości Ti, krzem o wysokiej czystości Si, złoto o wysokiej czystości Au, srebro o wysokiej czystości AG, ind o wysokiej czystości, magnez o wysokiej czystości mg, cynk o wysokiej czystości Zn, platyna o wysokiej czystości Pt, o wysokiej czystości germanu Ge, wysokiej czystości niklu Ni, wysokiej czystości tantalu TA, stopu złota z germanem Auge, stopu złota niklu auni, stopu niklowo-chromowego NiCr, stopu tytanowo-aluminiowego TiAl, stopu miedziowo-indowo-galowego Cuinga, stopu miedziowo-indowo-galowo-selenowego CuInGaSe, cynk-aluminium stop ZnAl, stop aluminium i krzemu AlSi i inne materiały do ​​powlekania metali.

Teoria nukleacji i wzrostu materiałów cienkowarstwowych

1. Spontaniczny proces zarodkowania jest napędzany przez energię swobodną przejścia fazowego.

2. Niespontaniczne zarodkowanie - oprócz siły napędowej swobodnej energii przejścia fazowego, istnieją inne czynniki pomagające w tworzeniu się nowych rdzeni fazowych.

3. Model kryształowego pasma wzrostu filmu

Istnieją trzy procesy osadzania atomów: osadzanie lub adsorpcja w fazie pary, dyfuzja powierzchniowa i dyfuzja w masie.

Powstawanie struktury filmu jest ściśle związane z temperaturą podłoża TS/TM oraz energią osadzonych atomów.TS to temperatura podłoża, a TM to temperatura topnienia osadzonego materiału.